MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK

International Rectifier

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):55V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:26A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4.7A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):740pF @ 50V,功率 - 最大值:79W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB,供应商器件封装:I-Pak

• 深圳市烨鑫微电子有限公司
• 深圳市福田区诺启元电子商行
• 深圳市华永泰科技有限公司
• 英特宝电子
• 深圳市华隆达电子商行